IR2110PBF vs IR2113PBF

Esta comparação detalhada entre IR2110PBF e IR2113PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IR2110PBF

+Lista de Materiais

2445 PCS | Tecnologias Infineon
IR2113PBF

+Lista de Materiais

7002 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote DIP-14 14-DIP
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 2A, 2A 2A, 2A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 500 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 25ns, 17ns 25ns, 17ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modelo de comparação : IR2110PBF IR2113PBF

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