IRF5803TRPBF vs IRF5810
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Pacote
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Descrição
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2.9A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
9.6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
650pF @ 16V
Power-Max
-
960mW
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRF5803
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 3.4A, 10V
-
Vgs (Max)
±20V
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Power Dissipation (Max)
2W (Ta)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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