IRF7313TRPBF vs IRF7317PBF Comparação

Esta comparação detalhada entre IRF7313TRPBF e IRF7317PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRF7313TRPBF

+Lista de Materiais

4931 PCS | Tecnologias Infineon
IRF7317PBF

+Lista de Materiais

5507 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Standard Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.5A 6.6A, 5.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 33nC @ 10V 27nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 650pF @ 25V 900pF @ 15V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRF7313TRPBF IRF7317PBF

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