IRF7821TRPBF vs IRF7853TRPBF
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Especificações
Pacote
SOIC-8
Descrição
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
-
Base Product Number
IRF7853
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.3A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 25 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
13.6A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
9.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
14 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1010 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 155°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
