IRFB3206PBF vs IRFB3306PBF
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Especificações
Pacote
TO-220-3
TO-220-3
Descrição
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
120A (Tc)
120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 150µA
4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
120 nC @ 10 V
170 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4520 pF @ 50 V
6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
230W (Tc)
300W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
