IRFB3206PBF vs IRFB38N20DPBF
Esta comparação detalhada entre IRFB38N20DPBF e IRFB3206PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
TO-220
TO-220-3
Descrição
IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
200 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
43A (Tc)
120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
54mOhm @ 26A, 10V
3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
5V @ 250µA
4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
91 nC @ 10 V
170 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
2900 pF @ 25 V
6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
300W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
