IRFB3307ZPBF vs IRFB3207ZPBF

Esta comparação detalhada entre IRFB3307ZPBF e IRFB3207ZPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification IRFB3307ZPBF IRFB3207ZPBF
Series - HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 75 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 4.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 6920 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) - 300W (Tc)
Operating Temperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type - Through Hole
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