IRFB3307ZPBF vs IRFB38N20DPBF

Esta comparação detalhada entre IRFB3307ZPBF e IRFB38N20DPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3307ZPBF

Rectificador Internacional

Lifecycle: Active
Stock: 2255 PCS
Package: TO-220AB
Series: ICs especializados

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Part B

IRFB38N20DPBF

Tecnologias Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 6086 PCS
Package: TO-220
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

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Full specification comparison

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Specification	IRFB3307ZPBF	IRFB38N20DPBF
Series	-	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	-	N-Channel
Technology	-	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	-	200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	43A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	54mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	91 nC @ 10 V
Vgs(Max)	-	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	2900 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	-	3.8W (Ta), 300W (Tc)
Operating Temperature	-	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	-	Through Hole

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