IRFB4019PBF vs IRFB4227PBF Comparação
Esta comparação detalhada entre IRFB4227PBF e IRFB4019PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
TO-220
TO-220-3
Descrição
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
-
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
65A (Tc)
17A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
24mOhm @ 46A, 10V
95mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
5V @ 250µA
4.9V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
20 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±30V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
4600 pF @ 25 V
800 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
80W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
