IRFR5305TRPBF vs IRFR5305PBF Comparação

Esta comparação detalhada entre IRFR5305PBF e IRFR5305TRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRFR5305PBF

+Lista de Materiais

6395 PCS | Tecnologias Infineon
IRFR5305TRPBF

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5161 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote TO-252-3 TO-252-3
Descrição MOSFET P-CH 55V 31A DPAK MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Discontinued at Digi-Key Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V 55 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 31A (Tc) 31A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 65mOhm @ 16A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 110W (Tc) 110W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRFR5305PBF IRFR5305TRPBF

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