IRLML6402TRPBF vs IRLML6302TRPBF

Esta comparação detalhada entre IRLML6402TRPBF e IRLML6302TRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification IRLML6402TRPBF IRLML6302TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Obsolete
Base Product Number IRLML6402 IRLML6302
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta) 780mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.7A, 4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 3.6 nC @ 4.45 V
Vgs (Max) ±12V ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 633 pF @ 10 V 97 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 540mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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