ISL6617AFRZ-T vs ISL6613BCR Comparação

Esta comparação detalhada entre ISL6617AFRZ-T e ISL6613BCR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
ISL6617AFRZ-T

+Lista de Materiais

5882 PCS | Renesas Electronics America Inc.
ISL6613BCR

+Lista de Materiais

8826 PCS | Renesas Electronics America Inc.
Pacote DFN-10 DFN-10
Descrição IC PWM INPUT IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration - Half-Bridge
Channel Type - Synchronous
Number of Drivers - 2
Gate Type - N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4.5V ~ 5.5V 7V ~ 13.2V
Current - Peak Output(Source Sink) - 1.25A, 2A
Input Type - Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 36 V
Rise / Fall Time(Typ) - 26ns, 18ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C 0°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Applications PWM Doubler -
Supply Current 6mA -
Modelo de comparação : ISL6617AFRZ-T ISL6613BCR

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