MJD45H11T4 vs MJD45H11TM

Esta comparação detalhada entre MJD45H11T4 e MJD45H11TM fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification MJD45H11T4 MJD45H11TM
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 8 A 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max) 10µA 10µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 40 @ 4A, 1V 40 @ 4A, 1V
Power - Max 20 W 1.75 W
Frequency - Transition - 40MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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