MMBT5551 vs MMBT5551LT1G

Esta comparação detalhada entre MMBT5551 e MMBT5551LT1G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5551

Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
3024 PCS
Series
Transistores - Bipolares (BJT) - Single Bipolar Transistors
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Specification MMBT5551 MMBT5551LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA -
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA -
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V -
Power - Max 350 mW 225 mW
Frequency - Transition 300MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) -
Current - Collector(Ic)(Max) - 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 160 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 80 @ 10mA, 5V
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