SI2301-TP vs SI2302DDS-T1-GE3
Esta comparação detalhada entre SI2302DDS-T1-GE3 e SI2301-TP fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
SOT-23-3
SOT-23-3
Descrição
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Series
TrenchFET®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20 V
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.9A (Tj)
2.8A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
2.5V, 4.5V
2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
850mV @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
PowerDissipation(Max)
710mW (Ta)
1.25W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
880 pF @ 6 V
