STPSC1006D vs STPSC4H065DI

Esta comparação detalhada entre STPSC1006D e STPSC4H065DI fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification STPSC1006D STPSC4H065DI
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
Part Status Active Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V 650 V
Current - Average Rectified(Io) 10A 4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75 V @ 10 A 1.75 V @ 4 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns -
Current - Reverse Leakage @ Vr 300 µA @ 600 V 40 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr F 650pF @ 0V, 1MHz -
Mounting Type Through Hole Through Hole