STPSC1006D vs STPSC1006G-TR

Esta comparação detalhada entre STPSC1006D e STPSC1006G-TR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
STPSC1006D

+Lista de Materiais

15569 PCS | STMicroeletrônica
STPSC1006G-TR

+Lista de Materiais

3664 PCS | STMicroeletrônica
Pacote TO-220-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Descrição DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
ProductStatus Active Obsolete
DiodeType Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 600 V 600 V
Current-AverageRectified(Io) 10A 10A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.75 V @ 10 A 1.7 V @ 10 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 300 µA @ 600 V 150 µA @ 600 V
Capacitance@VrF 650pF @ 0V, 1MHz 650pF @ 0V, 1MHz
MountingType Through Hole Surface Mount
Modelo de comparação : STPSC1006D STPSC1006G-TR

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