STPSC1006D vs STPSC1006G-TR

Esta comparação detalhada entre STPSC1006D e STPSC1006G-TR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification STPSC1006D STPSC1006G-TR
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
Part Status Active Obsolete
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V 600 V
Current - Average Rectified(Io) 10A 10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75 V @ 10 A 1.7 V @ 10 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 300 µA @ 600 V 150 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr F 650pF @ 0V, 1MHz 650pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Through Hole Surface Mount