STPSC4H065DI vs STPSC1006G-TR Comparação

Esta comparação detalhada entre STPSC4H065DI e STPSC1006G-TR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
STPSC4H065DI

+Lista de Materiais

21321 PCS | STMicroeletrônica
STPSC1006G-TR

+Lista de Materiais

3664 PCS | STMicroeletrônica
Pacote TO-220-2 TO-263-3
Descrição DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
Part Status Active Obsolete
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V 600 V
Current - Average Rectified(Io) 4A 10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75 V @ 4 A 1.7 V @ 10 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) - 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 µA @ 650 V 150 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr F - 650pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Through Hole Surface Mount
Modelo de comparação : STPSC4H065DI STPSC1006G-TR

+Lista de Materiais RFQ