Imagens apenas para referência
FDMD86100
+Lista de MateriaisPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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FabricanteSemiconductor Fairchild
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Peça do Fabricante #FDMD86100
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Ficha Técnica FDMD86100 DataSheet
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Pacote WDFN-8
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Em Estoque8554
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Series | PowerTrench® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 10A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 10.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2060pF @ 50V |
| Power - Max | 2.2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
