G3R30MT12K

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G3R30MT12K

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SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

  • FabricanteGeneSiC Semiconductor

  • Peça do Fabricante #G3R30MT12K

  • Em Estoque8871

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Series G3R™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 36mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.69V @ 12mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 155 nC @ 15 V
Vgs(Max) ±15V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3901 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 400W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-4

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