FDS8949 vs FDS8928A
Esta comparação detalhada entre FDS8949 e FDS8928A fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
SOIC-8
Descrição
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Active
Series
PowerTrench®
-
FETType
2 N-Channel (Dual)
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
29mOhm @ 6A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
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GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
11nC @ 5V
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InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
955pF @ 20V
-
Power-Max
2W
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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MountingType
Surface Mount
-
