FDS8949 vs FDS8935

Esta comparação detalhada entre FDS8949 e FDS8935 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
FDS8949

+Lista de Materiais

6681 PCS | Semiconductor Fairchild
FDS8935

+Lista de Materiais

6715 PCS | onsemi
Pacote SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Descrição POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Supplier - onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40V 80V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6A 2.1A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 6A, 10V 183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 11nC @ 5V 19nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 955pF @ 20V 879pF @ 40V
Power-Max 2W 1.6W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : FDS8949 FDS8935

+Lista de Materiais RFQ