IR2117STRPBF vs IR2110SPBF
Esta comparação detalhada entre IR2110SPBF e IR2117STRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
SOIC 16W
SOIC 8N
Descrição
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
ProductStatus
Active
Active
DrivenConfiguration
Half-Bridge
High-Side
ChannelType
Independent
Single
NumberofDrivers
2
1
GateType
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
3.3V ~ 20V
10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH
6V, 9.5V
6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink)
2A, 2A
250mA, 500mA
InputType
Non-Inverting
Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap)
500 V
600 V
Rise/FallTime(Typ)
25ns, 17ns
80ns, 40ns
OperatingTemperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
