IR2117STRPBF vs IR2111STR

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Especificações
IR2117STRPBF

+Lista de Materiais

1294 PCS | Tecnologias Infineon
IR2111STR

+Lista de Materiais

8416 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC 8N 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Descrição IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration High-Side Half-Bridge
ChannelType Single Synchronous
NumberofDrivers 1 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Current-PeakOutput(SourceSink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IR2117STRPBF IR2111STR

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