IRF540NPBF vs IRF540PBF

Esta comparação detalhada entre IRF540PBF e IRF540NPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRF540PBF

+Lista de Materiais

1774 PCS | Vishay Siliconix
IRF540NPBF

+Lista de Materiais

7435 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote TO-220AB TO-220
Descrição MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 28A (Tc) 33A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 77mOhm @ 17A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 72 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1700 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 150W (Tc) 130W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Modelo de comparação : IRF540PBF IRF540NPBF

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