IRF540NSTRLPBF vs IRF540NPBF
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Especificações
Pacote
TO-220
TO-263-3
Descrição
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
33A (Tc)
33A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
44mOhm @ 16A, 10V
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
71 nC @ 10 V
71 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1960 pF @ 25 V
1960 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
130W (Tc)
130W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Surface Mount
