IRF540NSTRLPBF vs IRF540PBF
Esta comparação detalhada entre IRF540PBF e IRF540NSTRLPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
TO-220AB
TO-263-3
Descrição
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
28A (Tc)
33A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
77mOhm @ 17A, 10V
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
72 nC @ 10 V
71 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1700 pF @ 25 V
1960 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
150W (Tc)
130W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Surface Mount
Series
-
HEXFET®
