IRF7341PBF vs IRF7306TRPBF
Esta comparação detalhada entre IRF7306TRPBF e IRF7341PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Descrição
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies
Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Discontinued at Digi-Key
FETType
2 P-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
55V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
3.6A
4.7A
RdsOn(Max)@IdVgs
100mOhm @ 1.8A, 10V
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
25nC @ 10V
36nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
440pF @ 25V
740pF @ 25V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
