IRF7832TRPBF vs IRF7862TRPBF Comparação

Esta comparação detalhada entre IRF7832TRPBF e IRF7862TRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRF7832TRPBF

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3081 PCS | Tecnologias Infineon
IRF7862TRPBF

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6329 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SO-8 SO-8
Descrição MOSFET N-CH 30V 20A 8SO MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Ta) 21A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4mOhm @ 20A, 10V 3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.32V @ 250µA 2.35V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V 45 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4310 pF @ 15 V 4090 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRF7832TRPBF IRF7862TRPBF

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