IRFB3806PBF vs IRFB38N20DPBF

Esta comparação detalhada entre IRFB38N20DPBF e IRFB3806PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRFB38N20DPBF

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6086 PCS | Tecnologias Infineon
IRFB3806PBF

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5920 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote TO-220 TO-220-3
Descrição IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 43A (Tc) 43A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 54mOhm @ 26A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA 4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 91 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2900 pF @ 25 V 1150 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 71W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modelo de comparação : IRFB38N20DPBF IRFB3806PBF

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