IRFB3306PBF vs IRFB38N20DPBF
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Especificações
Pacote
TO-220
TO-220-3
Descrição
IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
200 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
43A (Tc)
120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
54mOhm @ 26A, 10V
4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
5V @ 250µA
4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
91 nC @ 10 V
120 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
2900 pF @ 25 V
4520 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
230W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
