IRFB4020PBF vs IRFB4227PBF
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Especificações
Pacote
TO220-3
TO220-3
Descrição
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Series
HEXFET®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
200 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
65A (Tc)
18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
24mOhm @ 46A, 10V
100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
5V @ 250µA
4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
98 nC @ 10 V
29 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±30V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4600 pF @ 25 V
1200 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
330W (Tc)
100W (Tc)
OperatingTemperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
