IXFK30N110P

Imagens apenas para referência

IXFK30N110P

+Lista de Materiais

MOSFET N-CH 1100V 30A TO264AA

  • FabricanteIXYS

  • Peça do Fabricante #IXFK30N110P

  • Em Estoque6103

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Polar
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 360mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)

Produtos relacionados a IXFK30N110P