IXFN82N60Q3

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IXFN82N60Q3

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MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B

  • FabricanteIXYS

  • Peça do Fabricante #IXFN82N60Q3

  • Em Estoque6207

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Q3 Class
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 75mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 6.5V @ 8mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 275 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

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