SI4511DY-T1-E3

Imagens apenas para referência

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

  • FabricanteVishay Siliconix

  • Peça do Fabricante #SI4511DY-T1-E3

  • Pacote SOIC-8

  • Em Estoque3538

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7.2A, 4.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Power - Max 1.1W
Mounting Type Surface Mount

Produtos relacionados a SI4511DY-T1-E3